型号:

IRF630B_FP001

类别:FET - 单
制造商:SMSC
封装:32-QFN
描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
系列-
制造商Fairchild Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)200V
电流_连续漏极(Id)0a025000C9A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C400 毫欧 @ 4.5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs29nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds720pF @ 25V
功率_最大72W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装TO-220
包装管件

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